leth-thalamhair bhioran a thairgse2 "Substrates Gallium Oxide, stuth ùr-nodha air a dhealbhadh gus coileanadh innealan semiconductor adhartach a leasachadh. Tha na fo-stratan sin, air an dèanamh le Gallium Oxide (Ga2O3), a’ nochdadh bann-leathann ultra-leathann, gan dèanamh nan deagh roghainn airson tagraidhean àrd-chumhachd, tricead àrd, agus optoelectronic UV.
Prìomh fheartan:
• Ultra-Wide Bandgap: an2 "Substrates Gallium Oxidethoir seachad bann-leathann air leth de mu 4.8 eV, a’ ceadachadh obrachadh bholtachd is teòthachd nas àirde, fada nas àirde na comasan stuthan traidiseanta semiconductor leithid silicon.
•Voltage briseadh sìos air leth: Tha na fo-stratan sin a’ toirt comas do dh’ innealan bholtaids gu math nas àirde a làimhseachadh, gan dèanamh foirfe airson electronics cumhachd, gu sònraichte ann an tagraidhean bholtachd àrd.
•Giùlan teirmeach sàr-mhath: Le seasmhachd teirmeach nas fheàrr, bidh na fo-stratan sin a ’cumail coileanadh cunbhalach eadhon ann an àrainneachdan teirmeach fìor, air leth freagarrach airson tagraidhean àrd-chumhachd agus teòthachd àrd.
•Stuth àrd-inbhe: an2 "Substrates Gallium Oxidetairgse dùmhlachd lochdan ìosal agus càileachd àrd criostalach, a’ dèanamh cinnteach à coileanadh earbsach is èifeachdach nan innealan semiconductor agad.
•Iarrtasan ioma-chruthach: Tha na fo-stratan sin freagarrach airson raon de thagraidhean, a ’toirt a-steach transistors cumhachd, diodes Schottky, agus innealan UV-C LED, a’ tabhann bunait làidir airson an dà chuid cumhachd agus innleachdan optoelectronic.
Fuasgail làn chomas nan innealan semiconductor agad le Semicera's2 "Substrates Gallium Oxide. Tha na fo-stratan againn air an dealbhadh gus coinneachadh ri feumalachdan dùbhlanach thagraidhean adhartach an latha an-diugh, a’ dèanamh cinnteach à àrd-choileanadh, earbsachd agus èifeachdas. Tagh Semicera airson stuthan semiconductor ùr-nodha a bhios a’ stiùireadh ùr-ghnàthachadh.
| Nithean | Riochdachadh | Rannsachadh | Dummy |
| Paramadairean criostal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Mearachd treòrachadh uachdar | <11-20>4±0.15° | ||
| Paramadairean dealain | |||
| Dopant | n-seòrsa Nitrigin | ||
| Resistivity | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Paramadairean meacanaigeach | |||
| Trast-thomhas | 150.0±0.2mm | ||
| Tigheadas | 350±25 m | ||
| Prìomh stiùireadh còmhnard | [1-100]±5° | ||
| Prìomh fhad còmhnard | 47.5±1.5mm | ||
| Flat àrd-sgoile | Chan eil gin | ||
| TBh | ≤5 m | ≤10m | ≤15 m |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Bogha | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35m | ≤45m | ≤55m |
| Garbhachd aghaidh (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structar | |||
| Dùmhlachd micropìoba | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Neo-dhìomhaireachd meatailt | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Càileachd aghaidh | |||
| Aghaidh | Si | ||
| Crìoch air uachdar | Si-aghaidh CMP | ||
| Pàirtean | ≤60ea / wafer (meud≥0.3μm) | NA | |
| sgrìoban | ≤5ea/mm. Faid tionalach ≤ Trast-thomhas | Fad cruinn ≤2 * Trast-thomhas | NA |
| Peel orains / slocan / stains / strìopachas / sgàinidhean / truailleadh | Chan eil gin | NA | |
| Sgoltagan iomall / indent / bristeadh / truinnsearan hex | Chan eil gin | ||
| Sgìrean polytype | Chan eil gin | Raon cruinnichte≤20% | Raon cruinnichte≤30% |
| Comharrachadh laser aghaidh | Chan eil gin | ||
| Càileachd air ais | |||
| Crìoch air ais | C-aghaidh CMP | ||
| sgrìoban | ≤5ea/mm, Fad mean air mhean≤2 * Trast-thomhas | NA | |
| Duilgheadasan cùil (sgoltagan iomall / indent) | Chan eil gin | ||
| Cùl garbh | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Comharrachadh laser cùil | 1 mm (bhon oir as àirde) | ||
| Oir | |||
| Oir | Chamfer | ||
| Pacadh | |||
| Pacadh | Epi-deiseil le pacadh falamh Pacadh cassette ioma-wafer | ||
| * Notaichean: Tha “NA” a’ ciallachadh nach eil iarrtas sam bith ann Faodaidh stuthan nach deach ainmeachadh iomradh a thoirt air SEMI-STD. | |||
