1.AboutWaferes epitaxial Silicon Carbide (SiC).
Tha wafers epitaxial Silicon Carbide (SiC) air an cruthachadh le bhith a’ tasgadh aon ìre de chriostal air wafer a’ cleachdadh wafer criostal singilte silicon carbide mar fho-strat, mar as trice le tasgadh bhalbhaichean ceimigeach (CVD). Nam measg, tha silicon carbide epitaxial air ullachadh le bhith a’ fàs còmhdach epitaxial silicon carbide air an t-substrate carbide silicon giùlain, agus air a dhèanamh nas fhaide gu innealan àrd-choileanaidh.
2.Wafer epitaxial silicon carbideSònrachaidhean
Is urrainn dhuinn wafers epitaxial 4, 6, 8 òirleach N-seòrsa 4H-SiC a thoirt seachad. Tha leud-bann mòr aig an wafer epitaxial, astar gluasad dealanan sùghaidh àrd, gas dealanach dà-thaobhach aig astar àrd, agus neart raon briseadh sìos àrd. Tha na feartan sin a’ dèanamh an inneal an aghaidh teòthachd àrd, strì an-aghaidh bholtadh àrd, astar gluasad luath, seasmhachd ìosal, meud beag agus cuideam aotrom.
3. Iarrtasan SiC Epitaxial
Wafer epitaxial SiCair a chleachdadh sa mhòr-chuid ann an Schottky diode (SBD), transistor buaidh achaidh semiconductor meatailt ogsaid (MOSFET) transistor buaidh achaidh snaim (JFET), transistor snaim bipolar (BJT), thyristor (SCR), transistor bipolar geata inslithe (IGBT), a thathas a’ cleachdadh ann an raointean bholtachd ìosal, meadhanach agus bholtachd àrd. An-dràsta,wafers epitaxial SiCairson tagraidhean bholtachd àrd aig ìre rannsachaidh is leasachaidh air feadh an t-saoghail.
