Beatha seirbheis fhada neach-giùlan grafait còmhdaichte le SiC airson wafer grèine

Tuairisgeul goirid:

Is e seòrsa ùr de chrèadha a th’ ann an silicon carbide le coileanadh cosgais àrd agus feartan stuthan sàr-mhath. Air sgàth feartan leithid àrd neart agus cruas, àrd Teòthachd an aghaidh, mòr tearmach conductivity agus ceimigeach meirg aghaidh, Silicon Carbide urrainn seasamh cha mhòr a h-uile ceimigeach meadhan. Mar sin, tha SiC air a chleachdadh gu farsaing ann am mèinneadh ola, ceimigeach, innealan agus àite-adhair, eadhon lùth niuclasach agus tha na h-iarrtasan sònraichte aca air SIC aig an arm. Is e cuid de thagradh àbhaisteach as urrainn dhuinn a thabhann fàinneachan ròin airson pumpa, bhalbhaichean agus armachd dìon msaa.


Mion-fhiosrachadh toraidh

Bathar Tags

Buannachdan

Frith-aghaidh oxidation aig teòthachd àrd
Sàr-aghaidh creimeadh
Deagh strì an aghaidh sgrìobadh
Àrd coefficient de teas conductivity
Fèin-lubricity, dùmhlachd ìosal
Àrd cruas
Dealbhadh gnàthaichte.

HGF (2)
HGF (1)

Iarrtasan

- Raon dìon-caitheamh: bushing, truinnsear, nozzle sandblasting, lìnigeadh seiclon, baraille bleith, msaa ...
- Raon Teòthachd Àrd: Leac sC, Tube Fùirneis Quenching, Tube Radiant, Breusgain, Element Teas, Roller, Beam, Inneal-iomlaid Teas, Pìoba Adhair Fuar, Nozzle Burner, Tiùb Dìon Thermocouple, Bàta SiC, Structar càr àthan, Suidhiche, msaa.
-Silicon Carbide Semiconductor: bàta wafer SiC, chuck sic, pleadhag sic, cassette sic, tiùb sgaoilidh sic, forc wafer, plàta suidse, slighe-iùil, msaa.
-Silicon Carbide Ròn Ròin: a h-uile seòrsa de fhàinne ròin, giùlan, bushing, msaa.
- Raon photovoltaic: pleadhag cantilever, baraille bleith, rolair silicon carbide, msaa.
-Lithium Bataraidh Raon

WAFER (1)

WAFER (2)

Feartan corporra SiC

Seilbh Luach Dòigh-obrach
Dùmhlachd 3.21 g/cc Sink-fleòdradh agus meud
Teas sònraichte 0.66 J/g °K Flash laser pulsed
Neart sùbailteach 450 mpa560 mpa Lùb 4 puingean, lùb puing RT4, 1300 °
Duilgheadas briste 2.94 mpa m1/2 Microindentation
cruas 2800 Vicker's, luchd 500g
Modulus Elastic ModulusYoung 450 GPa430 GPa lùb 4 pt, lùb RT4 pt, 1300 ° C
Meud gràin 2-10 m SEM

Feartan teirmeach SiC

Giùlan teirmeach 250 W/m °K Modh flash laser, RT
Leudachadh teirmeach (CTE) 4.5 x 10-6 °K Teòthachd an t-seòmair gu 950 ° C, silica dilatometer

Paramadairean Teicnigeach

Aonad Dàta
RBSiC (SiSiC) NBSiC SSiC RSiC OSiC
Susbaint SiC % 85 75 99 99.9 ≥99
Silicon susbaint saor an asgaidh % 15 0 0 0 0
Teòthachd seirbheis as àirde 1380 1450 1650 1620 1400
Dùmhlachd g/cm3 3.02 2.75-2.85 3.08-3.16 2.65-2.75 2.75-2.85
Porosity fosgailte % 0 13-15 0 15-18 7-8
Neart lùbadh 20 ℃ Tha 250 160 380 100 /
Neart lùbadh 1200 ℃ Tha 280 180 400 120 /
Modulus elasticity 20 ℃ Gpa 330 580 420 240 /
Modulus elasticity 1200 ℃ Gpa 300 / / 200 /
Thermal conductivity 1200 ℃ W/mK 45 19.6 100-120 36.6 /
Co-èifeachd leudachadh teirmeach K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4.69 /
HV kg/mm2 2115 / 2800 / /

Faodaidh an còmhdach CVD silicon carbide air uachdar a-muigh toraidhean ceirmeag ath-chriostalach silicon carbide ruighinn purrachd de chòrr air 99.9999% gus coinneachadh ri feumalachdan luchd-ceannach anns a ’ghnìomhachas semiconductor.

Àite-obrach Semicera
Àite-obrach Semicera 2
Inneal uidheamachd
Giullachd CNN, glanadh ceimigeach, còmhdach CVD
An t-seirbheis againn

  • Roimhe:
  • Air adhart: