-
Dleastanas deatamach agus cùisean tagraidh luchd-gabhail grafait còmhdaichte le SiC ann an cinneasachadh leth-chonnspaid
Tha Semicera Semiconductor an dùil cinneasachadh prìomh phàirtean airson uidheamachd saothrachaidh semiconductor a mheudachadh air feadh na cruinne. Ro 2027, tha sinn ag amas air factaraidh ùr 20,000 meatair ceàrnagach a stèidheachadh le tasgadh iomlan de 70 millean USD. Is e aon de na prìomh phàirtean againn, an carbad wafer silicon carbide (SiC) ...Leugh tuilleadh -
Stuth air leth freagarrach airson fàinneachan fòcas ann an uidheamachd glaodhadh plasma: Silicon Carbide (SiC)
Ann an uidheamachd sgudail plasma, tha pàirt deatamach aig co-phàirtean ceirmeag, a’ toirt a-steach an fhàinne fòcas. Tha an fhàinne fòcas, air a chuir timcheall an wafer agus ann an conaltradh dìreach ris, deatamach airson am plasma a chuimseachadh air an wafer le bhith a’ cur bholtaids ris a’ fhàinne. Bidh seo a’ neartachadh an uni...Leugh tuilleadh -
Nuair a choinnicheas Glassy Carbon ri ùr-ghnàthachadh: Semicera a’ stiùireadh an ar-a-mach ann an teicneòlas còmhdach carbon glainne
Bidh carbon glainne, ris an canar cuideachd gualain glainne no gualain glainne, a 'ceangal feartan glainne agus crèadhadaireachd gu stuth gualain neo-ghrafach. Am measg nan companaidhean a tha air thoiseach ann a bhith a’ leasachadh stuthan adhartach gualain glainne tha Semicera, prìomh neach-saothrachaidh a tha gu sònraichte a’ dèanamh c ...Leugh tuilleadh -
Briseadh ann an Teicneòlas Epitaxy Silicon Carbide: A ’stiùireadh na slighe ann an cinneasachadh ath-ghnìomhaiche epitaxial silicon / carbide ann an Sìona
Tha sinn air leth toilichte a bhith ag ainmeachadh euchdan ùr-nodha ann an eòlas a’ chompanaidh againn ann an teicneòlas epitaxy silicon carbide. Tha an fhactaraidh againn moiteil a bhith mar aon de na prìomh luchd-saothrachaidh ann an Sìona a tha comasach air reactaran epitaxial silicon / carbide a thoirt gu buil. Le ar dealas airson càileachd air leth ...Leugh tuilleadh -
Briseadh ùr: Bidh a ’chompanaidh againn a’ faighinn thairis air teicneòlas còmhdach carbide Tantalum gus beatha na co-phàirt a leasachadh agus toradh a leasachadh
Zhejiang, 20/10/2023 - Ann an adhartas mòr a dh’ ionnsaigh adhartas teicneòlach, tha a’ chompanaidh againn gu pròiseil ag ainmeachadh leasachadh soirbheachail teicneòlas còmhdach Tantalum Carbide (TaC). Tha an coileanadh adhartach seo a’ gealltainn gun atharraich e an gnìomhachas gu mòr le ...Leugh tuilleadh