CVD Bulk Silicon Carbide (SiC)
Sealladh farsaing:CVDmòr-charbad sileaconach (SiC)na stuth air a bheil iarrtas mòr ann an uidheamachd sìolachaidh plasma, tagraidhean giollachd teirmeach luath (RTP), agus pròiseasan saothrachaidh leth-chonnsair eile. Tha na feartan meacanaigeach, ceimigeach agus teirmeach sònraichte aige ga fhàgail na stuth air leth freagarrach airson tagraidhean teicneòlais adhartach a dh ’fheumas àrd-chinnt agus seasmhachd.
Iarrtasan CVD Bulk SiC:Tha Bulk SiC deatamach anns a’ ghnìomhachas semiconductor, gu sònraichte ann an siostaman sgudail plasma, far a bheil co-phàirtean leithid fàinneachan fòcas, cinn fras gas, fàinneachan oir, agus platens a’ faighinn buannachd bho shàr-sheasmhachd creimeadh SiC agus giùlan teirmeach. Tha a chleachdadh a’ leudachadh guRTPsiostaman mar thoradh air comas SiC a bhith a’ seasamh an aghaidh caochlaidhean teothachd luath gun truailleadh mòr.
A bharrachd air uidheamachd sgudail, CVDmòr-chuid SiCIs fheàrr le fùirneisean sgaoilidh agus pròiseasan fàs criostail, far a bheil feum air seasmhachd teirmeach àrd agus strì an aghaidh àrainneachdan ceimigeach cruaidh. Tha na buadhan sin a’ dèanamh SiC mar an stuth as fheàrr leotha airson tagraidhean le iarrtas àrd anns a bheil teodhachd àrd agus gasaichean creimneach, leithid an fheadhainn anns a bheil clorin agus fluorine.
Buannachdan co-phàirtean CVD Bulk SiC:
•Àrd dùmhlachd:Le dùmhlachd de 3.2 g / cm³,CVD mòr SiCtha co-phàirtean gu math an aghaidh caitheamh agus buaidh meacanaigeach.
•Giùlan teirmeach àrd-ìre:A’ tabhann giùlan teirmeach de 300 W / m · K, bidh mòr-chuid SiC a’ riaghladh teas gu h-èifeachdach, ga dhèanamh air leth freagarrach airson co-phàirtean a tha fosgailte do chuairtean teirmeach fìor.
•Frith-aghaidh ceimigeach sònraichte:Tha ath-ghnìomhachd ìosal SiC le gasaichean sgudail, a’ toirt a-steach ceimigean stèidhichte air clorin agus fluorine, a’ dèanamh cinnteach gum bi beatha fhada de cho-phàirtean ann.
•Seasmhachd a ghabhas atharrachadh: Sicn mòra CVDfaodar resistivity a ghnàthachadh taobh a-staigh an raon 10⁻²–10⁴ Ω-cm, ga dhèanamh comasach atharrachadh a rèir feumalachdan saothrachaidh sònraichte seudaireachd agus semiconductor.
•Co-èifeachd leudachaidh teirmeach:Le co-èifeachd leudachaidh teirmeach de 4.8 x 10⁻⁶ / ° C (25-1000 ° C), bidh CVD bulk SiC a ’seasamh an aghaidh clisgeadh teirmeach, a’ cumail suas seasmhachd tomhasan eadhon aig amannan teasachaidh is fuarachaidh luath.
•Seasmhachd ann am Plasma:Tha e do-sheachanta nochdadh do plasma agus gasaichean reactive ann am pròiseasan semiconductor, achCVD mòr SiCa’ tabhann barrachd strì an aghaidh creimeadh agus truailleadh, a’ lughdachadh tricead ath-chuiridh agus cosgaisean cumail suas iomlan.
Sònrachaidhean Teicnigeach:
•Trast-thomhas:Nas motha na 305 mm
•Resistivity:Faodar atharrachadh taobh a-staigh 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Dùmhlachd:3.2 g / cm³
•Giùlan teirmeach:300 W/m·K
•Co-èifeachd leudachaidh teirmeach:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Gnàthachadh agus sùbailteachd:AigSemicera Semiconductor, tha sinn a’ tuigsinn gum faodadh gum bi feum aig a h-uile tagradh semiconductor air mion-chomharrachadh eadar-dhealaichte. Sin as coireach gu bheil na co-phàirtean CVD SiC mòr againn làn-ghnàthaichte, le seasmhachd a ghabhas atharrachadh agus tomhasan sònraichte a fhreagras air na feumalachdan uidheamachd agad. Co-dhiù a tha thu a’ dèanamh an fheum as fheàrr de na siostaman sgudail plasma agad no a’ coimhead airson co-phàirtean seasmhach ann am pròiseasan RTP no sgaoilidh, tha an CVD mòr SiC againn a’ lìbhrigeadh coileanadh gun choimeas.
