Bàta carbide silicon grafait ath-chriostalachadh

Bàta carbide silicon grafait ath-chriostalaichte Ìomhaigh Sònraichte

Tuairisgeul goirid:

Tha WeiTai Energy Technology Co., Earranta na phrìomh sholaraiche a tha a’ speisealachadh ann an wafer agus stuthan adhartach semiconductor consumables.Tha sinn dealasach a thaobh a bhith a’ toirt seachad toraidhean àrd-inbhe, earbsach agus ùr-ghnàthach gu saothrachadh semiconductor,gnìomhachas photovoltaicagus raointean co-cheangailte eile.

Tha an loidhne toraidh againn a’ toirt a-steach toraidhean grafait còmhdaichte le SiC / TaC agus toraidhean ceirmeag, a’ toirt a-steach grunn stuthan leithid silicon carbide, silicon nitride, agus alùmanum ogsaid agus msaa.

Mar sholaraiche earbsach, tha sinn a’ tuigsinn cho cudromach sa tha stuthan consum anns a’ phròiseas saothrachaidh, agus tha sinn dealasach a thaobh a bhith a’ lìbhrigeadh thoraidhean a choinnicheas ri inbhean càileachd as àirde gus feumalachdan ar luchd-cleachdaidh a choileanadh.

Cuir post-d thugainn

Mion-fhiosrachadh toraidh

Bathar Tags

Is e seòrsa ùr de chrèadha a th’ ann an silicon carbide le coileanadh cosgais àrd agus feartan stuthan sàr-mhath.Air sgàth feartan leithid àrd neart agus cruas, àrd Teòthachd an aghaidh, mòr tearmach conductivity agus ceimigeach meirg aghaidh, Silicon Carbide urrainn seasamh cha mhòr a h-uile ceimigeach meadhan.Mar sin, tha SiC air a chleachdadh gu farsaing ann am mèinneadh ola, ceimigeach, innealan agus àite-adhair, eadhon lùth niuclasach agus tha na h-iarrtasan sònraichte aca air SIC aig an arm.Is e cuid de thagradh àbhaisteach as urrainn dhuinn a thabhann fàinneachan ròin airson pumpa, bhalbhaichean agus armachd dìon msaa.

Is urrainn dhuinn dealbhadh agus saothrachadh a rèir na tomhasan sònraichte agad le deagh chàileachd agus ùine lìbhrigidh reusanta.

Abuannachdan:

Frith-aghaidh oxidation aig teòthachd àrd

Sàr-aghaidh creimeadh

Deagh strì an aghaidh sgrìobadh

Àrd coefficient de teas conductivity
Fèin-lubricity, dùmhlachd ìosal
Àrd cruas
Dealbhadh gnàthaichte.

Iarrtasan:

- Raon dìon-caitheamh: bushing, truinnsear, nozzle sandblasting, lìnigeadh seiclon, baraille bleith, msaa ...

- Raon Teòthachd Àrd: Leac sC, Tube Fùirneis Quenching, Tiùb Radiant, Crucible, Element Teas, Roller, Beam, Iomlaid Teas, Pìoba Adhair Fuar, Nozzle Burner, Tiùb Dìon Thermocouple, Bàta SiC, Structar càr àthan, Suidhiche, msaa.

-Arm Bulletproof Field

-Silicon Carbide Semiconductor: bàta wafer SiC, chuck sic, pleadhag sic, cassette sic, tiùb sgaoilidh sic, forc wafer, plàta suidse, slighe-iùil, msaa.

-Silicon Carbide Ròn Ròin: a h-uile seòrsa de fhàinne ròin, giùlan, bushing, msaa.

- Raon photovoltaic: pleadhag cantilever, baraille bleith, rolair silicon carbide, msaa.

-Lithium Bataraidh Raon

Paramadairean Teicnigeach:

Duilleag dàta stuthan

alStuth	R-SiC
用温度teòthachd obrach (°C)	1600 ° C (氧化气氛Àrainneachd oxidizing) 1700 ° C (还原气氛Àrainneachd a lùghdachadh)
SiCAchSusbaint SiC (%)	> 99
àitSiAchSusbaint Si an-asgaidh (%)	<0.1
LeughadhDùmhlachd mòr (g/cm3)	2.60-2.70
气孔率porosity follaiseach (%)	<16
抗压强度Neart pronnadh (MPa)	> 600
常温抗弯强度Neart cromadh fuar (MPa)	80-90 (20 ° C)
高温抗弯强度Neart cromadh teth (MPa)	90-100 (1400 ° C)
热膨胀系数 Co-èifeachd leudachaidh teirmeach @ 1500 ° C (10-6 / ° C)	4.70
导热系数Giùlan teirmeach @1200°C (W/m•K)	23
杨氏模量Modal elastic (GPa)	240
抗热震性Frith-aghaidh clisgeadh teirmeach	seadhAir leth math