An dàrna leth phàirtean airson baffles nas ìsle ann am pròiseas epitaxial

An dàrna leth de phàirtean airson baffles nas ìsle ann am pròiseas epitaxial le ìomhaigh sònraichte

Tuairisgeul goirid:

Pàirtean grafait còmhdaichte le SiC airson uidheamachd epitaxial SiC.

Ro-ràdh agus cleachdadh toraidh: Faodaidh tiùb quartz ceangailte, a dhol seachad air gas gus cuairteachadh bonn an treidhe a stiùireadh, smachd teothachd

Suidheachadh inneal an toraidh: anns an t-seòmar freagairt, gun a bhith ann an conaltradh dìreach ris an wafer

Prìomh thoraidhean sìos an abhainn: innealan cumhachd

Prìomh mhargaidh crìochnachaidh: carbadan lùtha ùra

Cuir post-d thugainn

Mion-fhiosrachadh toraidh

Bathar Tags

SiC còmhdaichtePàirt Halfmoon Graphitena phrìomh phàirt a thathar a’ cleachdadh ann am pròiseasan saothrachaidh leth-chonnsair, gu sònraichte airson uidheamachd epitaxial SiC. Bidh sinn a’ cleachdadh ar teicneòlas peutant gus am pàirt leth-ghealach a dhèanamh le fìor ghlanachd, deagh èideadh còmhdach agus beatha seirbheis sàr-mhath, a bharrachd air neart ceimigeach àrd agus feartan seasmhachd teirmeach.