Semicera'sClàr SiCIs e toradh adhartach a th’ ann air a dhèanamh le fìor-ghlanstuth silicon carbide (SiC)., air a dhealbhadh airson gnìomhachas semiconductor. Le giùlan teirmeach nas fheàrr agus feartan meacanaigeach sàr-mhath, faodaidh an SiC Plate seo seasmhachd a chumail ann an àrainneachdan àrd-teòthachd agus cuideam àrd, a 'dèanamh cinnteach gu bheil am pròiseas toraidh agad a' ruith gu rèidh.
Bidh an SiC Plate againn a’ cleachdadh stuthan RBSiC (carbide sileaconach sintered reaction) agus SSiC (carbide sileaconach aon chriostal) airson grunn shuidheachaidhean tagraidh, a’ gabhail a-steachSgeadachadh ICPagusneach-giùlain wafer. Thathas a’ dèanamh deuchainn chruaidh air toraidhean Semicera gus dèanamh cinnteach à càileachd SiC fìor-ghlan gus coinneachadh ri na feumalachdan agad airson àrd-choileanadh agus earbsachd.
A bharrachd air an sin, tha Semicera'sClàr SiCair a dhealbhadh mar neach-gleidhidh wafer èifeachdach agussusceptor waferairson grunn phròiseasan saothrachaidh semiconductor. Co-dhiù a tha e air a chleachdadh airson lasers, innealan optoelectronic no electronics cumhachd, faodaidh SiC Plate Semicera taic sàr-mhath a thoirt seachad agus èifeachdas cinneasachaidh adhartachadh.
Tagh Semicera, gheibh thu chan e a-mhàin SiC Plate de chàileachd àrd, ach cuideachd teicneòlas agus seirbheisean a tha air thoiseach air gnìomhachas. Tha sinn dealasach a thaobh na fuasglaidhean as fheàrr a thoirt do luchd-ceannach gus do ùr-ghnàthachadh teicneòlach agus farpaiseachd margaidh a chuideachadh.
-
Eileamaidean teasachaidh airson substrate MOCVD
-
An dàrna leth de phàirtean airson baffles nas ìsle ann an epitaxia ...
-
Bàta wafer semiconductor silicon carbide gnàthaichte ...
-
Semiconductor Dàrna Pàirtean leth airson Epitaxial
-
Reactor epitaxial còmhdaichte le SiC àrd-teodhachd B...
-
Còmhdach ceirmeach silicone carbide