Silicon carbide ceangailte ri silicon nitride
Stuth teasairginn ceirmeag Si3N4 le bann SiC, air a mheasgachadh le pùdar grinn SIC fìor-ghlan agus pùdar Silicon, às deidh cùrsa tilgeadh slip, ath-bhualadh sintered fo 1400 ~ 1500 ° C.Rè a 'chùrsa sintering, a' lìonadh an Nitrogen fìor-ghlan a-steach don fhùirneis, an uairsin bidh an silicon a 'freagairt le Nitrogen agus a' gineadh Si3N4, Mar sin tha stuth SiC le bann Si3N4 air a dhèanamh suas de silicon nitride (23%) agus silicon carbide (75%) mar phrìomh stuth amh , air a mheasgachadh le stuth organach, agus air a chumadh le measgachadh, eas-tharraing no dòrtadh, an uairsin air a dhèanamh às deidh tiormachadh agus nitrogenization.
Feartan agus buannachdan:
1.Hfulangas teòthachd àrd
2.High teirmeach conductivity agus clisgeadh aghaidh
3.High meacanaigeach neart agus abrasion aghaidh
4.Sàr-èifeachdas lùtha agus strì an aghaidh corrach
Bidh sinn a’ toirt seachad co-phàirtean ceirmeag NSiC le inneal àrd-inbhe agus mionaideach a bhios a’ pròiseasadh le
1.Slip tilgeadh
2.Extruding
3.Uni Axial Brùthadh
4.Isostatic Brùthadh
Duilleag dàta stuthan
> Cumadh ceimigeach | Sic | 75% |
Si3N4 | ≥23% | |
Si saor an asgaidh | 0% | |
Dùmhlachd mòr (g/cm3) | 2.70~2.80 | |
porosity follaiseach (%) | 12~15 | |
Neart lùb aig 20 ℃ (MPa) | 180~190 | |
Neart lùb aig 1200 ℃ (MPa) | 207 | |
Neart lùb aig 1350 ℃ (MPa) | 210 | |
Neart teannachaidh aig 20 ℃ (MPa) | 580 | |
giùlan teirmeach aig 1200 ℃ (w / mk) | 19.6 | |
Co-èifeachd leudachaidh teirmeach aig 1200 ℃ (x 10-6 /C) | 4.70 | |
Frith-aghaidh clisgeadh teirmeach | Sàr-mhath | |
Max.teòthachd (℃) | 1600 |