Inneal Graphite còmhdaichte le Silicon Carbide airson Epitaxy

Inneal Graphite còmhdaichte le Silicon Carbide airson Ìomhaigh Sònraichte Epitaxy

Tuairisgeul goirid:

Tha Semicera a’ tabhann raon farsaing de susceptors agus co-phàirtean grafait air an dealbhadh airson diofar reactaran epitaxy.

Tro chom-pàirteachasan ro-innleachdail le OEMan a tha air thoiseach air gnìomhachas, eòlas farsaing air stuthan, agus comasan saothrachaidh adhartach, bidh Semicera a’ lìbhrigeadh dhealbhaidhean sònraichte gus coinneachadh ri riatanasan sònraichte an tagraidh agad. Tha ar dealas airson sàr-mhathais a’ dèanamh cinnteach gum faigh thu na fuasglaidhean as fheàrr airson na feumalachdan reactair epitaxy agad.

Cuir post-d thugainn

Mion-fhiosrachadh toraidh

Bathar Tags

Tuairisgeul

Bidh a ’chompanaidh againn a’ toirt seachad seirbheisean pròiseas còmhdach SiC le modh CVD air uachdar grafait, ceirmeag agus stuthan eile, gus am bi gasaichean sònraichte anns a bheil gualain agus silicon ag ath-fhreagairt aig teòthachd àrd gus moileciuilean SiC fìor-ghlan fhaighinn, moileciuilean air an tasgadh air uachdar nan stuthan còmhdaichte, a’ cruthachadh còmhdach dìon SIC.

mu dheidhinn (1)

mu dheidhinn (2)

Prìomh fheartan

1 .High purity SiC còmhdaichte graphite

2. Superior teas an aghaidh & tearmach èideadh

3. Fine SiC criostail còmhdaichte airson uachdar rèidh

4. Seasmhachd àrd an aghaidh glanadh ceimigeach

Prìomh Shònrachaidhean de CVD-SIC Coating

Feartan SiC-CVD
Structar Crystal	FCC β ìre
Dùmhlachd	g/cm³	3.21
cruas	Vickers cruas	2500
Meud gràin	μm	2~10
Purity ceimigeach	%	99.99995
Comas teas	J·kg-1 ·K-1	640
Teòthachd sublimation	℃	2700
Neart Felexural	MPa (RT 4-puing)	415
Modulus Young	Gpa (lùb 4pt, 1300 ℃)	430
Leudachadh teirmeach (CTE)	10-6K-1	4.5
Giùlan teirmeach	(W/mK)	300