Bidh Semicera a’ toirt seachad còmhdach sònraichte tantalum carbide (TaC) airson diofar phàirtean agus luchd-giùlan.Tha pròiseas còmhdaich adhartach Semicera Semicera a’ comasachadh còmhdach tantalum carbide (TaC) gus fìor-ghlanachd, seasmhachd teòthachd àrd agus fulangas ceimigeach àrd a choileanadh, ag adhartachadh càileachd toraidh criostalan SIC / GAN agus sreathan EPI (Susceptor TaC còmhdaichte le graphite), agus a’ leudachadh beatha nam prìomh phàirtean reactair. Tha cleachdadh còmhdach tantalum carbide TaC gus fuasgladh fhaighinn air an duilgheadas iomall agus càileachd fàs criostail a leasachadh, agus tha Semicera air adhartas mòr a dhèanamh gus teicneòlas còmhdach tantalum carbide (CVD) fhuasgladh, a’ ruighinn ìre adhartach eadar-nàiseanta.
Às deidh bliadhnaichean de leasachadh, tha Semicera air buaidh a thoirt air teicneòlas aigCVD TaCle co-oidhirpean na roinne R&D. Tha e furasta lochdan nochdadh ann am pròiseas fàis wafers SiC, ach às deidh an cleachdadhTaC, tha an diofar cudromach. Gu h-ìosal tha coimeas eadar wafers le agus às aonais TaC, a bharrachd air pàirtean Semicera airson fàs criostail singilte
le agus as aonais TaC
Às deidh dhut TaC a chleachdadh (deas)
A bharrachd air an sin, tha beatha seirbheis toraidhean còmhdach TaC Semicera nas fhaide agus nas seasmhaiche ri teòthachd àrd na beatha còmhdach SiC. Às deidh ùine mhòr de dhàta tomhais obair-lann, faodaidh an TaC againn obrachadh airson ùine mhòr aig 2300 ceum Celsius aig a’ char as àirde. Seo cuid de na sampallan againn:
(a) Diagram sgeamach de inneal fàs ingot criostal singilte SiC a rèir modh PVT (b) Raon sìl còmhdaichte le Top TaC (a’ toirt a-steach sìol SiC) (c) Cearcall iùil grafait còmhdaichte le TAC
