Feartan toraidh SiC
Teòthachd àrd agus resistant meirg, ag adhartachadh càileachd wafer agus cinneasachd
Tha SiC a’ toirt iomradh air silicon carbide.Tha silicon carbide (SiC) air a dhèanamh de ghainmhich èiteag, còc agus stuthan amh eile tro leaghadh fùirneis àrd-teòthachd.Tha dà sheòrsa anns an riochdachadh gnìomhachais gnàthach de silicon carbide, carbide silicon dubh agus carbide silicon uaine.Tha an dà chuid criostal sia-thaobhach, an grabhataidh sònraichte de 3.21g / cm3, micro cruas 2840 ~ 3320kg / mm2.
Co-dhiù 70 seòrsa de silicon carbide criostalach, air sgàth cho trom sa tha e 3.21g / cm3 agus neart teòthachd àrd, tha e freagarrach airson bearings no stuthan amh fùirneis aig teòthachd àrd.Chan urrainnear cuideam sam bith a ruighinn, agus tha gnìomhachd ceimigeach gu math ìosal aca.
Aig an aon àm, tha mòran dhaoine air feuchainn ri silicon carbide a chuir an àite silicon air sgàth an giùlan teirmeach àrd, neart raon dealain àrd pronnadh agus an dùmhlachd gnàthach as àirde.O chionn ghoirid, ann an cleachdadh semiconductor àrd cumhachd co-phàirtean.Gu dearbh, an t-substrate silicon carbide ann an giùlan teirmeach, còrr is 10 tursan nas àirde na an t-substrate sapphire, agus mar sin tha cleachdadh co-phàirtean LED substrate silicon carbide, le deagh ghiùlan agus seoltachd teirmeach, gu ìre mhath cuideachail airson cinneasachadh LED àrd-chumhachd.
Paramadairean Teicnigeach
