Aig an àm seo, tha dòighean ullachaidhcòmhdach SiCTha a’ mhòr-chuid a’ toirt a-steach modh gel-sol, modh in-ghabhail, modh còmhdach bhruis, modh spraeadh plasma, modh ath-bhualadh gas ceimigeach (CVR) agus modh tasgadh bhalbhaichean ceimigeach (CVD).
Modh cur a-steach:
Tha an dòigh na sheòrsa de shineadh ìre cruaidh teòthachd àrd, a bhios gu ìre mhòr a’ cleachdadh measgachadh de phùdar Si agus pùdar C mar phùdar greimeachadh, tha am matrix grafite air a chuir anns a ’phùdar neadachaidh, agus thathas a’ dèanamh sintering teòthachd àrd anns a ’ghas inert. , agus mu dheireadh ancòmhdach SiCair fhaighinn air uachdar na matrix graphite.Tha am pròiseas sìmplidh agus tha an cothlamadh eadar an còmhdach agus an t-substrate math, ach tha èideadh a ’chòmhdaich air an t-slighe tighead truagh, a tha furasta barrachd thuill a dhèanamh agus a’ leantainn gu droch sheasamh an aghaidh oxidation.
Modh còmhdach bruis:
Is e an dòigh còmhdach bhruis sa mhòr-chuid an stuth amh leaghaidh a bhrùthadh air uachdar na matrix grafite, agus an uairsin an stuth amh a leigheas aig teòthachd sònraichte gus an còmhdach ullachadh.Tha am pròiseas sìmplidh agus tha a ’chosgais ìosal, ach tha an còmhdach a chaidh ullachadh le modh còmhdach bhruis lag an co-bhonn ris an t-substrate, tha an èideadh còmhdach truagh, tha an còmhdach tana agus tha an aghaidh oxidation ìosal, agus tha feum air dòighean eile gus cuideachadh e.
Modh spraeadh plasma:
Tha an dòigh spraeadh plasma gu ìre mhòr airson a bhith a’ frasadh stuthan amh leaghte no leth-leaghte air uachdar na matrix grafite le gunna plasma, agus an uairsin a dhaingneachadh agus a cheangal gus còmhdach a chruthachadh.Tha an dòigh sìmplidh ri obrachadh agus is urrainn dha còmhdach carbide sileacain caran dùmhail ullachadh, ach gu tric bidh an còmhdach carbide silicon a chaidh ullachadh leis an dòigh seo ro lag agus a’ leantainn gu strì an aghaidh oxidation lag, agus mar sin bidh e air a chleachdadh sa chumantas airson a bhith ag ullachadh còmhdach co-dhèanta SiC airson leasachadh. càileachd a 'chòmhdaich.
Modh gel-sol:
Is e an dòigh gel-sol sa mhòr-chuid fuasgladh sol èideadh agus follaiseach ullachadh a ’còmhdach uachdar na matrix, a’ tiormachadh gu gel agus an uairsin a ’dol a-steach gus còmhdach fhaighinn.Tha an dòigh seo sìmplidh obrachadh agus ìosal ann an cosgais, ach tha cuid de uireasbhaidhean aig a’ chòmhdach a chaidh a thoirt a-mach leithid dìon clisgeadh teirmeach ìosal agus sgàineadh furasta, agus mar sin chan urrainnear a chleachdadh gu farsaing.
Freagairt Gas Ceimigeach (CVR):
Bidh CVR a’ gineadh sa mhòr-chuidcòmhdach SiCle bhith a’ cleachdadh pùdar Si agus SiO2 gus smùid SiO a ghineadh aig teòthachd àrd, agus bidh sreath de ath-bheachdan ceimigeach a’ tachairt air uachdar substrate stuth C.Tha ancòmhdach SiCair ullachadh leis an dòigh seo tha dlùth cheangal ris an t-substrate, ach tha an teòthachd freagairt nas àirde agus tha a ’chosgais nas àirde.
Tasgadh bhalbhaichean ceimigeach (CVD):
Aig an àm seo, is e CVD am prìomh theicneòlas airson ullachadhcòmhdach SiCair uachdar an t-substrate.Is e am prìomh phròiseas sreath de ath-bheachdan corporra is ceimigeach de stuth reactant ìre gas air uachdar an t-substrate, agus mu dheireadh tha an còmhdach SiC air ullachadh le tasgadh air uachdar an t-substrate.Tha an còmhdach SiC a chaidh ullachadh le teicneòlas CVD ceangailte gu dlùth ri uachdar an t-substrate, a dh ’fhaodadh leasachadh èifeachdach a dhèanamh air an aghaidh oxidation agus an aghaidh ablative stuth an t-substrate, ach tha ùine tasgaidh an dòigh seo nas fhaide, agus tha puinnsean sònraichte aig gas ath-bhualadh gas.
Ùine puist: Samhain-06-2023