Baraille reactor epitaxial còmhdaichte le Silicon Carbide

Tuairisgeul goirid:

Tha Semicera na iomairt àrdteicneòlais a tha an sàs ann an rannsachadh stuthan airson grunn bhliadhnaichean, le prìomh sgioba R&D agus R&D agus saothrachadh aonaichte.Thoir seachad baraille reactair epitaxial còmhdaichte le Silicon Carbide gus bruidhinn ris na h-eòlaichean teignigeach againn mar a gheibh thu an coileanadh as fheàrr agus buannachd margaidh airson do thoraidhean.

Cuir post-d thugainn

Mion-fhiosrachadh toraidh

Bathar Tags

Carson a tha còmhdach Silicon Carbide ann?

Anns an raon semiconductor, tha seasmhachd gach pàirt glè chudromach airson a ’phròiseas gu lèir.Ach, ann an àrainneachd àrd-teòthachd, tha grafait furasta a oxidachadh agus a chall, agus faodaidh còmhdach SiC dìon seasmhach a thoirt do phàirtean grafait.Anns aleth-thalamhsgioba, tha an uidheamachd giullachd glanaidh grafait againn fhèin, as urrainn smachd a chumail air purrachd grafait fo 5ppm.Tha purrachd an còmhdach silicon carbide cuideachd nas ìsle na 5ppm.

Ar buannachd, carson a thaghas tu Semicera?

✓ Càileachd as fheàrr ann am margaidh Shìona

✓ Seirbheis mhath an-còmhnaidh dhut, 7 * 24 uairean

✓ Ceann-latha lìbhrigidh goirid

✓ Small MOQ fàilte agus gabhail ris

✓ Seirbheisean teachdaiche

Iarrtas

Susceptor Fàs Epitaxy

Feumaidh wafers carbide silicon/silicon a dhol tro iomadh pròiseas airson an cleachdadh ann an innealan dealanach.Is e pròiseas cudromach a tha ann an epitaxy silicon / sic, anns a bheil wafers silicon / sic air an giùlan air bunait grafait.Tha buannachdan sònraichte bho bhunait grafait còmhdaichte le carbide silicon Semicera a’ toirt a-steach purrachd fìor àrd, còmhdach èideadh, agus beatha seirbheis air leth fada.Tha neart ceimigeach aca cuideachd agus seasmhachd teirmeach.

Susceptor silicon epitaxy

Susceptor Epitaxy Silicon Carbide

Riochdachadh chip LED

Nuair a bhios an reactair MOCVD a’ còmhdach farsaing, bidh am bonn planaid no neach-giùlain a’ gluasad wafer an t-substrate.Tha buaidh mhòr aig coileanadh an stuth bunaiteach air càileachd còmhdach, a bheir buaidh air ìre sgrìobadh a ’chip.Bidh bunait còmhdaichte le carbide silicon aig Semicera ag àrdachadh èifeachdas saothrachaidh wafers LED àrd-inbhe agus a’ lughdachadh claonadh tonn-tonn.Bidh sinn cuideachd a’ toirt seachad co-phàirtean grafait a bharrachd airson a h-uile reactar MOCVD a thathas a’ cleachdadh an-dràsta.Is urrainn dhuinn cha mhòr pàirt sam bith a chòmhdach le còmhdach silicon carbide, eadhon ged a tha trast-thomhas a’ cho-phàirt suas ri 1.5M, is urrainn dhuinn fhathast còta le silicon carbide.

Susceptor Epitaxy LED

Raon Semiconductor, Pròiseas Sgaoileadh Oxidation, etc.

Anns a ’phròiseas semiconductor, feumaidh am pròiseas leudachaidh oxidation purrachd toraidh àrd, agus aig Semicera bidh sinn a’ tabhann seirbheisean còmhdach àbhaisteach agus CVD airson a ’mhòr-chuid de phàirtean carbide silicon.

Tha an dealbh a leanas a’ sealltainn an siodar carbide silicon garbh-ghiollachd de Semicea agus an tiùb fùirneis silicon carbide a tha air a ghlanadh anns an 1000-ìregun dustrùm.Tha an luchd-obrach againn ag obair mus tèid an còmhdach.Faodaidh purrachd ar carbide silicon ruighinn 99.98%, agus tha purrachd còmhdach sic nas àirde na 99.9995%.