Semiconductor GaN epitaxy stèidhichte air Silicon

Tuairisgeul goirid:

Tha Semicera Energy Technology Co., Earranta na phrìomh sholaraiche de chrèadha semiconductor adhartach agus an aon neach-dèanamh ann an Sìona as urrainn ceirmeag carbide silicon àrd-ghlan a thoirt seachad aig an aon àm (gu sònraichte an SiC Recrystallized) agus còmhdach CVD SiC. A bharrachd air an sin, tha a’ chompanaidh againn cuideachd dealasach a thaobh raointean ceirmeag leithid alumina, alùmanum nitride, zirconia, agus sileacon nitride, msaa.

 

Mion-fhiosrachadh toraidh

Bathar Tags

Epitaxy GaN stèidhichte air silicon

Tuairisgeul toraidh

Bidh a ’chompanaidh againn a’ toirt seachad seirbheisean pròiseas còmhdach SiC le modh CVD air uachdar grafait, ceirmeag agus stuthan eile, gus am bi gasaichean sònraichte anns a bheil gualain agus silicon ag ath-fhreagairt aig teòthachd àrd gus moileciuilean SiC fìor-ghlan fhaighinn, moileciuilean air an tasgadh air uachdar nan stuthan còmhdaichte, a’ cruthachadh còmhdach dìon SIC.

Prìomh fheartan:

1. Àrd teòthachd oxidation an aghaidh:

tha an aghaidh oxidation fhathast fìor mhath nuair a tha an teòthachd cho àrd ri 1600 C.

2. Glanachd àrd: air a dhèanamh le tasgadh bhalbhaichean ceimigeach fo chumhachan clorination àrd teòthachd.

3. Cur an aghaidh bleith: cruas àrd, uachdar teann, mìrean mìn.

4. Frith-chreimeadh: searbhag, alkali, salann agus ath-bheachdan organach.

Prìomh Shònrachaidhean de CVD-SIC Coating

Feartan SiC-CVD

Structar Crystal

FCC β ìre

Dùmhlachd

g/cm³

3.21

cruas

Vickers cruas

2500

Meud gràin

μm

2~10

Purity Ceimigeach

%

99.99995

Comas teas

J·kg-1 ·K-1

640

Teòthachd sublimation

2700

Neart Felexural

MPa (RT 4-puing)

415

Modulus Young

Gpa (lùb 4pt, 1300 ℃)

430

Leudachadh teirmeach (CTE)

10-6K-1

4.5

Giùlan teirmeach

(W/mK)

300

Àite-obrach Semicera
Àite-obrach Semicera 2
Inneal uidheamachd
Giullachd CNN, glanadh ceimigeach, còmhdach CVD
An t-seirbheis againn

  • Roimhe:
  • Air adhart: