Epitaxy GaN stèidhichte air silicon

Ìomhaigh sònraichte GaN epitaxy stèidhichte air silicon

Tuairisgeul goirid:

Fiosrachadh mun chompanaidh Semicera Energy Technology Co., Ltd. na phrìomh sholaraiche de chrèadha semiconductor adhartach agus an aon neach-dèanamh ann an Sìona as urrainn ceirmeag carbide silicon àrd-ghlan a thoirt seachad aig an aon àm (gu sònraichte anAth-chriostalachadh SiC) agus còmhdach CVD SiC.A bharrachd air an sin, tha a’ chompanaidh againn cuideachd dealasach a thaobh raointean ceirmeag leithid alumina, alùmanum nitride, zirconia, agus sileacon nitride, msaa.

Cuir post-d thugainn

Mion-fhiosrachadh toraidh

Bathar Tags

Tuairisgeul toraidh

Tha a’ chompanaidh againn a’ toirt seachadcòmhdach SiCseirbheisean pròiseas le modh CVD air uachdar grafait, ceirmeag agus stuthan eile, gus am bi gasaichean sònraichte anns a bheil gualain agus sileaconach ag ath-fhreagairt aig teòthachd àrd gus moileciuilean SiC fìor-ghlan fhaighinn, moileciuilean air an tasgadh air uachdar stuthan còmhdaichte, a’ cruthachadhSreath dìon SIC.

Prìomh fheartan:

1. Àrd teòthachd oxidation an aghaidh:

tha an aghaidh oxidation fhathast fìor mhath nuair a tha an teòthachd cho àrd ri 1600 C.

2. Glanachd àrd: air a dhèanamh le tasgadh bhalbhaichean ceimigeach fo chumhachan clorination àrd teòthachd.

3. Cur an aghaidh bleith: cruas àrd, uachdar teann, mìrean mìn.

4. Frith-chreimeadh: searbhag, alkali, salann agus ath-bheachdan organach.

Prìomh Shònrachaidhean de CVD-SIC Coating

Feartan SiC-CVD
Structar Crystal	FCC β ìre
Dùmhlachd	g/cm³	3.21
cruas	Vickers cruas	2500
Meud gràin	μm	2~10
Purity ceimigeach	%	99.99995
Comas teas	J·kg-1 ·K-1	640
Teòthachd sublimation	℃	2700
Neart Felexural	MPa (RT 4-puing)	415
Modulus Young	Gpa (lùb 4pt, 1300 ℃)	430
Leudachadh teirmeach (CTE)	10-6K-1	4.5
Giùlan teirmeach	(W/mK)	300