Silicon carbide ceangailte ri silicon nitride
Stuth teasairginn ceirmeag Si3N4 le bann SiC, air a mheasgachadh le pùdar grinn SIC fìor-ghlan agus pùdar Silicon, às deidh cùrsa tilgeadh slip, ath-bhualadh sintered fo 1400 ~ 1500 ° C.Rè a 'chùrsa sintering, a' lìonadh an Nitrogen fìor-ghlan a-steach don fhùirneis, an uairsin bidh an silicon a 'freagairt le Nitrogen agus a' gineadh Si3N4, Mar sin tha stuth SiC le bann Si3N4 air a dhèanamh suas de silicon nitride (23%) agus silicon carbide (75%) mar phrìomh stuth amh , air a mheasgachadh le stuth organach, agus air a chumadh le measgachadh, eas-tharraing no dòrtadh, an uairsin air a dhèanamh às deidh tiormachadh agus nitrogenization.
Feartan agus buannachdan:
1.Hfulangas teòthachd àrd
2.High teirmeach conductivity agus clisgeadh aghaidh
3.High meacanaigeach neart agus abrasion aghaidh
4.Sàr-èifeachdas lùtha agus strì an aghaidh corrach
Bidh sinn a’ toirt seachad co-phàirtean ceirmeag NSiC le inneal àrd-inbhe agus mionaideach a bhios a’ pròiseasadh le
1.Slip tilgeadh
2.Extruding
3.Uni Axial Brùthadh
4.Isostatic Brùthadh
Duilleag dàta stuthan
| > Cumadh ceimigeach | Sic | 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| Si saor an asgaidh | 0% | |
| Dùmhlachd mòr (g/cm3) | 2.70～2.80 | |
| porosity follaiseach (%) | 12～15 | |
| Neart lùb aig 20 ℃ (MPa) | 180～190 | |
| Neart lùb aig 1200 ℃ (MPa) | 207 | |
| Neart lùb aig 1350 ℃ (MPa) | 210 | |
| Neart teannachaidh aig 20 ℃ (MPa) | 580 | |
| giùlan teirmeach aig 1200 ℃ (w / mk) | 19.6 | |
| Co-èifeachd leudachaidh teirmeach aig 1200 ℃ (x 10-6 /C) | 4.70 | |
| Frith-aghaidh clisgeadh teirmeach | Sàr-mhath | |
| Max.teòthachd (℃) | 1600 | |
Tha WeiTai Energy Technology Co., Earr. na phrìomh sholaraiche de chrèadha semiconductor adhartach agus an aon neach-dèanamh ann an Sìona as urrainn ceirmeag carbide silicon àrd-ghlan a thoirt seachad aig an aon àm (gu sònraichte an SiC Recrystallized) agus còmhdach CVD SiC.A bharrachd air an sin, tha a’ chompanaidh againn cuideachd dealasach a thaobh raointean ceirmeag leithid alumina, alùmanum nitride, zirconia, agus sileacon nitride, msaa.
Tha na prìomh thoraidhean againn a’ toirt a-steach: diosc sgudail silicon carbide, tilgeil bàta carbide silicon, bàta wafer carbide silicon (Photovoltaic & Semiconductor), tiùb fùirneis carbide silicon, pleadhag cantilever carbide silicon, chucks carbide sileaconach, beam carbide silicon, a bharrachd air còmhdach CVD SiC agus TaC còmhdachadh.Na toraidhean a thathas a’ cleachdadh sa mhòr-chuid anns na gnìomhachasan semiconductor agus photovoltaic, leithid uidheamachd airson fàs criostal, epitaxy, msaa, pacadh, còmhdach agus fùirneisean sgaoilidh, msaa.
Tha an uidheamachd cinneasachaidh iomlan aig a ’chompanaidh againn leithid cumadh, sintering, giollachd, uidheamachd còmhdach, msaa, as urrainn na ceanglaichean riatanach gu lèir de chinneasachadh toraidh a chrìochnachadh agus smachd nas àirde fhaighinn air càileachd toraidh;Faodar am plana toraidh as fheàrr a thaghadh a rèir feumalachdan an toraidh, a ’leantainn gu cosgais nas ìsle agus a’ toirt seachad toraidhean nas fharpaiseach do luchd-ceannach;Is urrainn dhuinn cinneasachadh a chlàradh gu sùbailte agus gu h-èifeachdach stèidhichte air riatanasan lìbhrigidh òrdugh agus ann an co-bhonn ri siostaman riaghlaidh òrdughan air-loidhne, a’ toirt ùine lìbhrigidh nas luaithe agus nas cinntiche do luchd-ceannach.
